أجهزة فائقة السرعة وموفرة للطاقة مشغّلة بواسطة إنتل

تحسّن وحدات الترانزستور بتقنية 14 نانومتر التي تدعم مجموعة واسعة من المنتجات، بدءاً من الأجهزة المحمولة وصولاً إلى الخوادم، الأداء وتحد من تسرب الطاقة. سيتم استخدام تقنية Intel®‎‏ 14 نانومتر لتصنيع مجموعة واسعة من المنتجات العالية الأداء إلى تلك الموفرة للطاقة، بما فيها الخوادم وأجهزة الحوسبة الشخصية والمنتجات المرتبطة بإنترنت الأشياء. تم توفير أول أنظمة مستندة إلى معالج Intel® Core™ M في المتاجر في موسم الأعياد، تليها انتشار أوسع لدى الشركات المصنعة للمعدات الأصلية في النصف الأول من عام 2015. وسيتم إطلاق منتجات إضافية تستند إلى تقنية المعالجة 14 نانومتر في الأشهر القادمة. 

تقدم تقنية 14 نانومتر، التي تستخدم الجيل الثاني من وحدات الترانزستور الثلاثية الأبعاد tri-gate، أداء وقوة وكثافة وكلفة لكل ترانزستور رائدة في مجالها، وسيتم استخدامهما لتصنيع مجموعة واسعة من المنتجات التي تتميز بأداء عالٍ وتوفير في الطاقة.

الجودة في الحجم الصغير

تقدم تقنية Intel®‎‏ 14 نانومتر تغيير حجم على مستوى الأبعاد أفضل مما توفره تقنية 22 نانومتر. فجنيحات تبريد الترانزستور أطول وأنحف ومتقاربة أكثر لتوفير كثافة محسّنة ومواسعة أقل. تتطلب وحدات الترانزستور المحسّنة جنيحات تبريد أقل، ما يحسِّن الكثافة، ويجب أن يكون حجم خلية ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بنصف حجم تلك الموجودة في تقنية 22 نانومتر تقريباً.

التصنيع بتقنية 14 نانومتر

باتت عملية Intel®‎ للتصنيع باستخدام تقنية 14 نانومتر ومنتج system-on-a-chip الرائد جاهزين وفي مرحلة الانتاج في مصانع في أوريجون (2014) وأريزونا (2014) وأيرلندا (2015).

مقاطع فيديو ذات صلة

يناقش مارك بوهر، وهو زميل رفيع المستوى في شركة إنتل، عمل الترانزستور الجديد المزوّد بتقنية 14 نانومتر وكيف تبدو جنيحات التبريد في tri-gate الآن أطول وأنحف ومتقاربة من بعضها البعض أكثر فأكثر، الأمر الذي عزز الأداء وخفض مستوى الطاقة النشطة وطوّل عمر البطارية وفتح الباب أمام تجارب حوسبية رائعة.

شاهد الفيديو

سجّل جهاز الترانزستور tri-gate ثلاثي الأبعاد والقدرة على تصنيعه بكميات كبيرة، تغييراً ملحوظاً في البنية الأساسية لشرائح الكمبيوتر. اعرف المزيد عن تاريخ وحدات الترانزستور.

شاهد الفيديو

مواد ذات صلة